MICT-V 手持式智能电导盐密测试仪

MICT-V 手持式智能电导盐密测试仪

产品简介

MICT-V 手持式智能电导盐密测试仪用于电力系统防污闪检测，是测量绝缘子表面等值附盐密度（以下简称“盐密"）的专用测量仪器，同时还可以测量溶液的电导率和温度。整机以其测量精度高、测量范围大、使用方便等特点广泛地应用于电力、教学、科研及其它相关行业。
污秽等级的划分和污秽等级分布图的绘制是防污闪工作的基础，准确的污秽等级分布图是选择输、变电设备电瓷外绝缘爬距的依据。绝缘子表面等值附盐密度值是判断电瓷外绝缘污秽状况严重程度的定量数据，是划分污秽等级和绘制污区图的重要依据之一。因此，盐密测量工作对电力系统安全运行有着重要的意义。
参照标准：
GB/T16434 – 1996《高压架空线路和发电厂、变电所环境污秽分级及外绝缘选择标准》
GB/T16434-200X《污秽条件下高压绝缘子的选择和尺寸确定第1部分：定义、信息和一般原则》
Q/GDW152-2006《高压架空线路和发电厂、变电所环境污区分级及外绝缘选择标准》

相关术语：
1、参照盘形悬式绝缘子 reference cap and pin insulator
  XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盘形悬式绝缘子（根据GB/T 7253），通常7~9片组成一串用来测量现场污秽度。
2、爬电距离 creepage distance
  在两个导电部分之间，沿绝缘体表面的短距离。
  注：水泥或其他非绝缘胶合材料表面不认为是爬电距离的构成部分。如果绝缘子的绝缘件的某些部分覆盖有高电阻层，则该部分应认为是有效绝缘表面并且沿其上面的距离应包括在爬电距离内。
3、统一爬电比距 unified specific creepage distance（USCD）
  绝缘子的爬电距离与其两端承担的高运行电压（对于交流系统，为高相电压）之比，mm/kV。
4、附盐密度 salt deposit density（SDD）
  人工涂覆于给定绝缘子表面（不包括金属部件和装配材料）上氯化钠总量除以表面积，mg/cm²。
5、等值附盐密度 equivalent salt deposit density（ESDD）
  绝缘子单位绝缘表面上的等值附盐量，mg/cm²。
6、不溶物密度（简称灰密） non soluble deposit density（NSDD）
  绝缘子单位绝缘表面上清洗的非可溶残留物总量除以表面积，mg/cm²。
7、现场等值盐度 site equivalent salinity（SES）
  根据GB/T 4585进行盐雾试验时的盐度。用该盐度试验，在相同绝缘子和相同电压下，产生的泄露电流峰值与现场自然污秽条件下的泄露电流基本相同。
8、现场污秽度 site pollution severity（SPS）
  在适当的时间段内测量到的污秽严重程度ESDD/NSDD或SES的大值。
9、现场污秽度等级 site pollution severity class
  将污秽严重程度从非常轻到非常严重按SPS的分级。
10、带电系数K1 energy coefficient K1
  同形式绝缘子带电所测ESDD/NSDD（SES）值与非带电所测ESDD/NSDD（SES）值之比，K1一般为1.1~1.5。

产品别称

手持式智能电导盐密测试仪，智能电导盐密测试仪

产品特征

1、具有量程自动切换功能，测量速度快（2s/次）。
2、测量范围大，盐密范围0.0001mg/cm2～9.9999mg/cm2。
3、中英文界面可自主切换。
4、采用2.8寸真彩液晶屏幕。
5、可直接显示盐密度、污秽等级、统一爬电比距。
6、自动进行温度补偿，直接显示20℃时的标准电导率和等值附盐（ESDD）；
7、具有自动祛除原溶液含盐量的功能，降低了对清洗液的要求。
8、自动将不带电测量的盐密度（ESDD）转换为带电测量的盐密度（ESDD）。
9、可存储10万组记录，并可将记录保存至SD卡在电脑上读取。
10、可查阅、删除单条记录，也可删除所有记录。
11、内置大容量充电锂电池（2600mAh），适合野外现场使用。

参数

1、测量范围：
盐密：0.0001mg/cm2～9.9999mg/cm2（按X-4.5型绝缘子为准）
测量温度：0℃～100℃
测量电导率：0～200000μs/cm
2、基本误差：
测量盐密：分辨率0.0001 mg/cm2
满量程精度：±2%
测量温度：分辨率0.1℃，精度±0.5℃
测量电导率：分辨率0.01μs/cm
3、环境温度：0℃～60℃。
4、环境湿度:<90%。
5、体积与重量
手持主机尺寸：长210mm*宽100mm*厚36mm。
整机机箱尺寸：长335mm*宽260mm*高130mm。
手持主机重量：约0.5Kg。
整机重量：约2.5Kg。